• 高功率激光器芯片

    2018年,中兴事件和中美贸易冲突为国内高新科技产业敲响一记警钟,激光行业内很多企业也将目光转向国产激光芯片,国产芯片市场份额得到很大提升。但由于我国激光芯片发展起步晚,基础较为薄弱,公司拟对高功率激光器芯片方向进行研发突破,需要该方面的专家或研发团队进行相关技术交流,提供必要的技术服务,对研发过程中的项目难点进行突破。要求芯片发光区宽度为90-180μm,输出功率可达14W-20W,半峰宽小于4nm,转换效率达65%。

    电子信息 | 合作开发 2019-10-08

  • 帕拉米韦工艺

    完成帕拉米韦原药工艺的技术开发工作,保证生产工艺达到1kg批量;完成帕拉米韦原药生产工艺开发,起始物料、中间体、成品质量标准及检测方法的开发。以化合物7为起始物料制得目标产物,质量总收率不低于30%,开发的工艺路线不得与现有专利冲突 。

    生物、医药和医疗器械 | 合作开发 2019-10-08

  • 西多福韦工艺

    苏州二叶拟进行西多福韦原药及注射剂的研究开发,按照《药品注册管理办法》及相关法规市场的要求,进行小中试工艺路线开发、质量标准拟定等工作。 需及时关注西多福韦(Cidofovir)国内外上市情况,重点关注原研企业美国Gilead公司该项目动态;向甲方提供项目可行性研究报告;打通原料药工艺路线,完成500g批量的小中试工艺研究;保证原料纯度不低于97%;完成杂质谱研究,提供杂质供应商信息,提供杂质标准图谱;起草质量标准 。

    生物、医药和医疗器械 | 合作开发 2019-10-08

  • 自动化、智能化、信息化产品生产线系统研发

    公司主体业务是对铝原材料进行加工、碾压成型,总成为板带箔产品,属于劳动密集型产业。目前,公司的包装产线,产品的包装方式依旧靠人工来进行包装,导致包装效率低下,人工成本较高。所以我司期望用自动化、智能化的方式对原产线进行改造升级,提高生产效率,降低人工成本。 因此,公司希望开发一套自动化、智能化、信息化的包装生产线,要求生产效率提升30%以上,人工成本降低30%以上。

    先进制造 | 合作开发 2019-10-08

  • 半导体外延材料技术

    我所在III-V化合物半导体金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长技术、相关的III-V化合物半导体材料检测分析,以及用于外延片质量验证的分立器件电学特性分析等技术上存在技术需求,要达到的技术指标:1.面缺陷密度≤50cm¯²;2.雾状缺陷≤10ppm;3.Doping:(5.0±0.5)E+16cm¯³;4.层电阻:410±30Ohm/sq.;5.霍尔迁移率≥5000cm²/V·s。

    新材料及其应用 | 合作开发 2019-10-07

  • 大功率无线电能传输技术及产业化

    现公司在大功率无线电能传输应用过程中的关键技术存在技术需求,寻求有相关技术领域的专家或团队联合开发高效率PFC、数字电源及控制、无线电能传输线圈、异物(活体)检测等大功率无线电传输技术,要求无线电能传输的目标功率要>7.7kVA;传电距离需为30mm左右。

    电子信息 | 合作开发 2019-10-07

  • 电源软件控制和电源硬件的实施

    随着网络时代的兴起,各式各样的网络终端设备层出不穷。新能源电动汽车的普及,充电站以及电气自动化设备规模不断扩大,电源终端设备运行状态的监测与维护难度也不断加大,因此需要一种有效的管控机制来应对这一难题。现需求有相关技术的专家或高校,可以通过软件的控制来实现电源硬件的实施。硬件部分电路原理:交流220V电源接入P1口的1、2脚,一路送给继电器,另一路径电源变压器及整流滤波后,由7805稳压输出5V的工作电压。

    电子信息 | 合作开发 2019-10-07

  • 精密机械,光刻工件台系统设计

    寻求有相关领域技术的专家或企业,以期可以设计出一种光刻工件台系统,增强现实,紫外LED曝光反馈控制电路。要求定位稳定时间要<20ms;对应系统带宽要达到200Hz以上;定位误差在20nm以内。

    先进制造 | 合作开发 2019-10-07

  • 光学玻璃材料超精密模压工艺和设备

    寻找有相关技术的专家或高校,可以开发出一种光学玻璃材料超精密模压工艺和设备,对于光学元件,包含球面、非球面、自由曲面,直径为2~35mm;直径公差为±0.01mm;厚度为0.4~25mm;厚度公差为±0.01mm;曲率半径可达5mm,实现高精度的模压控制实现。

    先进制造 | 合作开发 2019-10-07

  • 电力仪表自动读数;RDID标签芯片相关成果等

    需求有相关技术的专家或高校,可以开发出一种仪表自动读数以及RFID芯片解决方案,用于整合到我们的MBCS化工企业工作流系统中,电源接口为220V(AC/DC)或110V(AC/DC),仪表极限的工作电源电压为AC/DC:80-270V。

    电子信息 | 合作开发 2019-10-07

  • 半导体设备蒸发台、溅射台的研发

    计划对接完成国产半导体设备的研发、式样及批量生产,如国产半导体设备蒸发台、溅射台的研发等;最终达到市场领先的技术水平,匹配国内大中型半导体产线的需求。要求电子束蒸发工艺参数:蒸发速率为20-25A/s;蒸发时间为25min;磁控溅射工艺参数:溅射速率为8000A/min;溅射时间为2min/片。

    电子信息 | 合作开发 2019-10-07

  • 具有极高弯曲疲劳寿命的钢丝绳

    我方正在研制的新产品有一子系统,在这子系统内,电机转动滚筒,滚筒牵引钢丝绳,钢丝绳再通过导轮牵引重物。如此循环,一直重复运行,为此对钢丝绳抗疲劳能力要求极高。 我们要求合作方对钢丝绳设计和制造具有丰富的经验,对钢丝绳弯曲疲劳有深入的了解。要求每15秒需卷绕一次,连续卷烧无故障需达500万次以上,抗拉强度等级为1670MPa。

    新材料及其应用 | 合作开发 2019-10-07

  • 篮球架信息化显示系统

    1、考虑将篮球架的透明玻璃篮板做成显示屏,以便在比赛间隙能和场馆的中央显示屏同步显示内容,增加与观众的互动性,同时要充分考虑到篮架使用时球对篮板的冲击以及别的可能受到的撞击。 2、在篮球架的立柱部分包裹显示屏,作为广告或者互动用,要充分考虑与其他显示屏的同步性,同时也可单独使用。 技术指标:在像素间距为20mm时,显示屏亮度可达到10000nit以上;显示屏可在任何环境下全天候工作。

    电子信息 | 合作开发 2019-10-07

  • 小型钣金折弯件的机器人无序抓取

    研发项目说明:面向一般工业结构件制造行业,研发小型钣金折弯件的机器人无序抓取问题。研发项目需求: 1.能够在散乱、层叠堆放的料箱中,识别小型钣金折弯件的位置、姿态、可抓取性; 2.机器人抓取后,自动将小型钣金折弯件上料至夹具上,上料精度在0.5mm以内; 3.能够提供机器人离线路径规划,并规避奇异点和碰撞; 4.零件为冲压和折弯件,本身存在一定尺寸偏差和折弯角度偏差。

    先进制造 | 委托开发 2019-10-07

  • 高精密航空结构件制造工艺研发

    研发项目说明:面向航空航天、国防军工、智能制造行业,与国外民机转包的知名龙头企业深入合作,积极参与空客350、波音787和飞机生命供氧系统等高新技术项目、新材料、新工艺的研发和制造。 研发项目需求: 1.超长超宽薄壁加工; 2.复杂曲面加工; 3.高精度微笑零件一次性切削到尺寸的加工,加工精度2UM; 4.航空复合材料的加工; 5、军用零部件研发。

    航空航天 | 合作开发 2019-10-07

  • 耐氧化细旦聚丙烯纤维项目的研发

    聚丙烯纤维的密度为0.90-0.92 g/cm3,在所有化学纤维中是最轻的,比锦纶轻20%,比涤纶轻30%,比粘胶纤维轻40%,跟目前汽车行业轻量化发展理念高度一致。研究多种抗老化剂与聚丙烯原料共混纺丝的配方工艺,选取最佳方案,增强聚丙烯纤维的耐氧化性。

    新材料及其应用 | 合作开发 2019-10-05

  • 远红外有色聚酯纤维的研发

    通过开发混合纺丝工艺,在纺丝原液中添加远红外辐射剂进行共混纺丝,增加纤维的耐洗、抗摩擦及抗辐射性能;并开发母粒着色技术及其装置,通过特殊工艺处理,与聚酯原料充分均匀混合,再经混纺、牵伸等工艺,制成高品质有色纤维。

    新材料及其应用 | 合作开发 2019-10-05

  • 显示面板自动上下料和影像识别设备

    该自动上下料和影像识别设备为应用于现代先进显示面板产业的智能制造装备,要求设备具备自动上下料功能,自动影像识别功能,影像识别精度需要小于等于1微米,并且具备自动学习功能提高识别准确度。对于6.5”显示面板的单画面识别时间需要在1.5s以内。

    先进制造 | 委托开发 2019-09-30

  • 纺织面料边中色差问题

    坯布在上染工艺之前,可能存在分布不均、布面渗透性等问题,由于各种条件的制约,使得染料的吸收存在差异,导致面料存在边中色差。现我司需求与有相关技术的高校或企业合作,可以决绝边中色差问题,面料颜色纯正,要求色牢度达到5级。

    新材料及其应用 | 合作开发 2019-09-29

  • 防静电吸水性强的混合涤纶纤维布

    普通的涤纶布结构简单,强度和耐磨度不高,吸水性能低,舒适度不高,使用中容易产生静电起毛,降低了涤纶布的美观和使用性能,目前,我司急需寻求有相关技术的专家或高校联合开发具有防静电吸水性强的混合涤纶纤维布,要求带电荷量<0.20μC;点对点电阻1×10—1×10 Ω。

    新材料及其应用 | 合作开发 2019-09-29